銦鉍錫多晶棒:
(In-Bi-Sn)
純度:99.99%
產(chǎn)品用途:銦鉍錫多晶錠成分控制精準、均勻性好、雜質(zhì)含量低、致密度高,有望作為一種新型濺射靶材應(yīng)用于相變儲存薄膜材料。相比于粉末冶金-熱壓真空法制備的相變存儲靶材,熔煉鑄造工藝簡單、高效、生產(chǎn)成本低,制備的銦鉍錫多晶錠尺寸可控,表面光亮,成分均勻,經(jīng)切片拋光可批量得到多片In-Bi-Sn靶材。